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一、系统描述
TFT300A大功率LED热阻测试系统塬理符合 MIL-STD-750和JEDEC JESD51-1热阻测试标准 定义的动态及静态测试方法)运用实时采样静态测试方法(Static Method),广泛用于测试各类 IC(包括二极管、三极管、MOSFET、IGBT、SOC、SIP、MEMS 等)、大功率LED、导热材料、散热器、热管等的热阻、热容及导热系数、积分及微分热结构函数曲线、接触热阻等热特性。
二、测试功能介绍
1、IC:可以得到用不同占空比方波测试时的阻抗与热阻值;
2、二极管:稳态热阻(Thermal Resistance);
3、三极管:包括:Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 当器件在给一定的工作电流后。热量不断向外扩散,达到了热平衡,得到的结果是稳态热阻值。在没有达到热平衡之前测试到的是热阻抗;
4、MOSFET:从开始加热到结温达到稳定这一过程中的瞬态阻抗数据;
5、IGBT:瞬态阻抗(Thermal Impedance);
6、线形调压器:装片质量的分析;
7、大功率LED:热阻、参考热阻、结温、光功率、光谱、颜色、正向电压、正向电流 升温曲线、降温曲线、K系数、I-V特性曲线、结压-时间、结温-时间曲线、瞬态热阻曲线、积分及微分热结构函数曲线、精确解析LED的分层热阻结构。
三、系统配置介绍
1、采样单元
l 功率:2A/10V;
l 测试延迟时间(启动时间):1us;
l 采样率:1us;
l 测试通道数:2(最大 8个);
l 热电偶测量精度(T型):典型±0.1℃,大±0.3℃ ;
l 结温测量精度:典型±0.1℃;
2、电学单元
l 加热电压测量精度:±0.1%;
l 加热电流测量精度:±0.2%;
l 结温测量精度:典型±0.1℃;
l 器件的大供电电压:50V;
l 器件的大供电电流:2V;
3、光学单元
l 光谱波长范围:380nm~780nm;
l 光功率范围:0.05mW-1000.0mW;
l 热阻可测量范围:0℃/W~250℃/W;
l 温度控制装置范围:5℃~90℃,稳定度±0.2℃;
四、测试塬理
根据IEDEC静态测量塬理,改变器件输入功率,使器件温度发生变化,在达到热平衡之前,TFT300A以1uS的高速采样率实时记录温度随着时间变化的瞬态响应曲线;在得到温度响应后,根据R_thiA=T / P 计算稳态热阻;将上述瞬态响应转换为结构函数形式,方便用户分析器件热流传导路径上的各层结构。系统未采用“脉冲方法”。因为“脉冲方法”采用延时测量技术,限制了测量精度,且“脉冲方法”在测量瞬态温度响应市应非实时记录数据。而是通过人为构建脉冲加热功率来模拟瞬态过程,测试结果的精确性无法保证。
五、参考测试标准
EIA/JESD 51-1~14 Integrated Circuits Thermal Measurement Method
MIL-STD-750D Test Method for semiconductor Device
SJ 20788-2000 半导体二极管热阻测试方法
GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电流第二部分:整流二极管
QB/T 4057-2010 普通照明用发光二极管性能要求版权所有:苏州斯开尔测试设备有限公司 技术支持:昆山网站建设 苏ICP备2022048691号-1
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